Твердые Растворы На Основе Карбида Кремния

4.7 звезд, основано на 63 отзывах

RUR 722.00
В наличии

Настоящая монография содержит теоретические и экспериментальные результаты исследований в области формирования твердых растворов на основе SiC и соединений AlN, GaN, NbC, TiC, ZrC методами жидкофазной и газофазной эпитаксии

В работе представлены электрофизические, оптические и структурные свойства монокристаллов, эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе твердых растворов SiC, а также рассмотрены их приборные применения

Книга адресована научным работникам, аспирантам и студентам, работающим в области физики и технологии широкозонных полупроводниковых материалов, а также специалистам электронной промышленности.